Основные достижения 2022 года

Созданы уникальные структуры с множественными квантовыми ямами GaN/AlN, излучающие в ультрафиолетовом-С (УФС) диапазоне 238-265 нм, который наиболее эффективен для разработки оптических бактерицидных излучателей. С помощью электронно-лучевой накачки этих структур достигнута максимальная импульсная мощность 50 Вт, что существенно превышает лучшие результаты в мире в этом диапазоне. Впервые изготовлены солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур GaN/AlN с максимальной чувствительностью до 50 мА/Вт на длине волны 275 нм.

Для получения вышеописанных светоизлучающих и фотоприемных приборов, работающих в глубоком УФС диапазоне, развиты физические основы и технологии эпитаксиального роста полупроводниковых приборных гетероструктур GaN/AlN c монослойной толщиной (1МС=0.25нм) квантовых ям и барьерных слоев. Успешная реализация этих структур с атомным разрешением стала возможной благодаря уникальным возможностям запатентованного нами метода их формирования с помощью плазменно-актированной молекулярно-пучковой эпитаксии.