|
Основные достижения 2022 годаСверхбыстрое лазерно-индуцированное подавление интерфейсной анизотропии в структуре с туннельным магнитным переходом CoFeB/MgO/CoFeBлаб. физики ферроиков (Калашниковой,АМ)
лаб. динамики материалов (Перцева,НА)
Структуры с туннельным магнитным переходом (ТМП), состоящие из двух магнитных нанослоёв, разделённых диэлектрической прослойкой толщиной порядка нанометра, являются перспективными материалами для ячеек магнитной памяти со случайным доступом, нейроморфных вычислений и др. Перпендикулярная магнитная анизотропия (ПМА) обеспечивает высокую плотность магнитной записи, уменьшает пороговые токи переключения намагниченности и др. Возможность изменять ПМА короткими лазерными импульсами существенно расширит функциональность таких структур. Впервые показано, что в структуре с ТМП CoFeB/MgO/CoFeB, воздействие фемтосекундных лазерных импульсов приводит к сверхбыстрому полному подавлению ПМА ферромагнитных электродов CoFeB, включающей конкурирующие вклады интерфейсной анизотропии и анизотропии формы. В результате происходит спин-переориентационный переход, который обеспечивает лазерно-индуцированное переключение ТМП между состояниями с параллельной и ортогональной взаимными ориентациями намагниченностей в электродах. Условием для переключения оказалось обнаруженное нами усиление изменения интерфейсной анизотропии по сравнению с изменением анизотропии формы при увеличении энергии возбуждающего импульса.
Иллюстрации
Работа выполнена в рамках Государственного задания, тема № 0040-2014-0005. Направление ПФНИ 1.3.2.4. Публикации
|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|