Основные достижения 2022 года

В работах [1, 2] представлены результаты измерений нестационарной фото-эдс в моноклинном кристалле Ga₂O₃ на длине волны 457 нм. Кристалл обладает изолирующими свойствами и демонстрирует высокую прозрачность для видимого света, что не препятствует формированию динамической решетки пространственного заряда и регистрации сигнала нестационарной фото-эдс во внешних электрических полях — нулевого, постоянного и переменного. Измеренная амплитуда сигнала анализируется в зависимости от частоты фазовой модуляции (ω), пространственной частоты интерференционной картины (K) и величины электрического поля (E). Для выбранной длины волны определены фотопроводимость кристалла, спектральная чувствительность и диффузионная длина фотовозбужденных носителей. Высокий уровень сигнала и равномерность частотной характеристики нестационарной фото-эдс в кристалле оксида галлия являются преимуществами, которые могут иметь решающее значение при разработке и изготовлении адаптивных фотоприемников, работающих в коротковолновой области видимого света.