Основные достижения 2022 года

Экспериментально обнаружен и теоретически объяснен эффект длительного (до 100 нс) самоподдержания высоковольтного GaAs диода в состоянии с высокой проводимостью при обратном смещении. Высокая (1017-1018 см-3) концентрация неравновесных носителей поддерживается ударной ионизациях в узких (~1 мкм) движущихся областях сильного ионизирующего электрического поля ? коллапсирующих доменах Ганна. При большой плотности тока (>105 A/см²) коллапсирующие домены спонтанно возникают в электронно-дырочной плазме вследствие отрицательной дифференциальной подвижности электронов. Спонтанное расслоение на области слабого и сильного поля делает возможным ударную ионизацию в условиях, когда среднее электрическое поле в структуре (менее 104 В/см) на порядок меньше порога ионизации. Ударная ионизация в коллапсирующих доменах Ганна представляет собой новый эффективный механизм генерации неравновесных носителей в арсенидгаллиевых приборах импульсной силовой электроники.