|
Основные достижения 2022 годаКвантовые сканирующие датчики магнитного поля на основе наночастиц 6H-SiCлаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
лаб. физики кластерных структур (Дидейкина,АТ)
лаб. электроники полупроводников с большой энергией связи (Мохова,ЕН)
лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
Продемонстрирован эффективный процесс изготовления датчиков магнитного поля на основе наночастиц 6H-SiC с вакансионными центрами кремния, совмещенных с зондами атомно-силового микроскопа. Измерение магнитного поля такими датчиками происходит с помощью метода оптически детектируемого магнитного резонанса и эффекта антипересечения глубоких уровней со спином 3/2. Наночастица 6H-SiC устанавливалась на острие кантилевера. Преимущество таких сенсоров по сравнению с промышленными аналогами заключается в отсутствии у наночастиц SiC собственного магнитного поля. Исключение необходимости в дополнительной радиочастотной накачке за счет использования эффекта антипересечения уровней и фотолюминесценция в ближней инфракрасной области открывает возможность регистрировать распределение магнитного поля в биологических средах.
Иллюстрации
Работа выполнена в рамках гранта РФФИ № 20-52-76010. Направление ПФНИ 1.3.2.12. Публикации
|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|