Основные достижения 2022 года

Продемонстрирована возможность роста с использованием метода высоко -температурной сублимации из газовой фазы гексагонального нитрида бора (hBN) высокого структурного совершенства на подложках гексагонального карбида кремния (SiC). В данной работе линейный размер выращенных образцов был ограничен только размерами подложки (15мм) (Рис.1), однако этот метод позволяет выращивать монокристаллы SiC диаметром до 4 дюймов. Полученные результаты указывают на перспективность использования данного метода для формирования в ходе одного технологического процесса высоко качественных гетероструктур hBN/SiC большой площади, которые имеют высокий потенциал для приборных применений. Методом ФЛ было установлено, что в процессе высокотемпературного роста монокристаллы hBN оказываются легированными примесью углерода (Рис.2). Дефекты, связанные с примесью углерода в hBN представляют интерес с точки зрения создания на их основе источников одиночных фотонов. Люминесценция таких дефектов в hBN является спин зависимой, что открывает перспективы их использования для квантовых технологий.