В работах [1, 2] представлены результаты измерений нестационарной фото-эдс в моноклинном кристалле Ga₂O₃ на длине волны 457 нм. Кристалл обладает изолирующими свойствами и демонстрирует высокую прозрачность для видимого света, что не препятствует формированию динамической решетки пространственного заряда и регистрации сигнала нестационарной фото-эдс во внешних электрических полях — нулевого, постоянного и переменного. Измеренная амплитуда сигнала анализируется в зависимости от частоты фазовой модуляции (ω), пространственной частоты интерференционной картины (K) и величины электрического поля (E). Для выбранной длины волны определены фотопроводимость кристалла, спектральная чувствительность и диффузионная длина фотовозбужденных носителей. Высокий уровень сигнала и равномерность частотной характеристики нестационарной фото-эдс в кристалле оксида галлия являются преимуществами, которые могут иметь решающее значение при разработке и изготовлении адаптивных фотоприемников, работающих в коротковолновой области видимого света.

Публикации

1. M.A. Bryushinin, V.V. Kulikov, A.A. Petrov, I.A. Sokolov, R.V. Romashko, Y.N. Kulchin, Three modes of the nonstationary holographic current excitation in a gallium oxide crystal, Europhys. Lett., v.137, 2 ArtNo: 26002 (2022).
2. М.А. Брюшинин, И.А. Соколов, И.Н. Завестовская, Р.В. Ромашко, Ю.Н. Кульчин, Три режима возбуждения нестационарной фотоЭДС в кристалле оксида галлия, Краткие сообщения по физике ФИАН, T.49, №3 стр. 3-12, 2022.