| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
⇤ первая
« предыдущая
…
17
18
19
20
21
22
следующая »
последняя ⇥
Всего записей: 431
-
Название: Способ изготовления каталитического материала для топливного элемента Патент РФ: # 2421849 от 20 июня 2011 г. Тип: Изобретение Авторы: Глебова,НВ; Нечитайлов,АА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Глебова,НВ; Нечитайлов,АА Подразделения: - лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
-
Название: Полупроводниковый генератор высоковольтных импульсов наносекундным фронтом нарастания Патент РФ: #107651 от 20 августа 2011 г. Тип: Полезная модель Авторы: Аристов,ЮВ; Коротков,СВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Аристов,ЮВ; Коротков,СВ Подразделения: - лаб. прикладных проблем сильноточной электроники (Короткова,СВ)
-
Название: Способ измельчения кристаллического порошкового материала Патент РФ: #2423182 от 10 июля 2011 г. Тип: Изобретение Авторы: Клявин,ОВ; Дринберг,АС; Ицко,ЭФ; Чернов,ЮМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Подразделения: - лаб. физики профилированных кристаллов (Николаева,ВИ)
-
Название: Терагерцовый сканирующий зондовый микроскоп Патент РФ: #92172 от 10 марта 2010 г. Тип: Полезная модель Авторы: Андрианов,АВ; Трухин,ВН Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андрианов,АВ; Трухин,ВН Подразделения: - лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ)
-
Название: Способ изготовления композитной линзовой панели для концентраторных фотоэлектрических преобразователей на основе наногетероструктур Патент РФ: #2422860 от 27 июня 2011 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ионова,ЕА; Румянцев,ВД; Садчиков,НА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ионова,ЕА; Садчиков,НА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Система фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения Патент РФ: #2413334 от 27 февраля 2011 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Потапович,НС; Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Потапович,НС; Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Концентраторный солнечный элемент Патент РФ: #2407108 от 20 декабря 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Румянцев,ВД; Терра,АР; Гудовских,АС; Лантратов,ВМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Терра,АР Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ контроля содержания магнитных примесей в наноалмазах детонационного синтеза Патент РФ: #2388688 от 10 мая 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Алексенский,АЕ; Байдакова,МВ; Вейнгер,АИ; Вуль,АЯ; Вуль,СП; Яговкина,МА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Алексенский,АЕ; Байдакова,МВ; Вуль,АЯ; Яговкина,МА Подразделения: - лаб. физики аморфных полупроводников (Стовпяга,ЕЮ)
- лаб. физики кластерных структур (Дидейкина,АТ)
- лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
- лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)
-
Название: Устройство для определения положения светового пятна Патент РФ: #2399023 от 10 сентября 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Подласкин,БГ; Гук,ЕГ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Гук,ЕГ Подразделения: - лаб. оптоэлектроники и голографии (Муратикова,КЛ)
-
Название: Координато-чувствительный датчик Мультискан Патент РФ: #2399117 от 10 сентября 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Подласкин,БГ; Гук,ЕГ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Гук,ЕГ Подразделения: - лаб. оптоэлектроники и голографии (Муратикова,КЛ)
-
Название: Устройство для определения положения светового пятна Патент РФ: #2399022 от 10 сентября 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Подласкин,БГ; Гук,ЕГ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Гук,ЕГ Подразделения: - лаб. оптоэлектроники и голографии (Муратикова,КЛ)
-
Название: Термоэлектрический элемент Патент РФ: #2376681 от 20 декабря 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Вуль,АЯ; Эйдельман,ЕД Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Вуль,АЯ; Эйдельман,ЕД Подразделения: - лаб. физики кластерных структур (Дидейкина,АТ)
-
Название: Способ определения фотоэлектрических параметров высокоомных полупроводников Патент РФ: #2383081 от 27 февраля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Брюшинин,МА; Соколов,ИА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Брюшинин,МА; Соколов,ИА Подразделения: - лаб. физики анизотропных материалов (Соколова,ИА)
-
Название: Двухсекционный лазер Патент РФ: #2383093 от 27 февраля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Портной,ЕЛ; Гаджиев,ИМ; Соболев,ММ; Бакшаев,ИО Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Гаджиев,ИМ; Соболев,ММ Подразделения: - лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
- лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
-
Название: Способ изготовления детектора короткопробежных частиц Патент РФ: #2378738 от 10 января 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Еремин,ВК; Вербицкая,ЕМ; Еремин,ИВ; Тубольцев,ЮВ; Егоров,НН; Голубков,СА; Коньков,КА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Еремин,ВК; Вербицкая,ЕМ; Еремин,ИВ; Тубольцев,ЮВ Подразделения: - лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
- лаб. масс-спектрометрии (Павлова,АК)
- лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)
-
Название: Фотоэлектрический модуль Патент РФ: #2395136 от 20 июля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ионова,ЕА; Нахимович,МВ; Румянцев,ВД; Садчиков,НА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ионова,ЕА; Нахимович,МВ; Садчиков,НА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Полупроводниковое переключающее устройство Патент РФ: #97006 от 20 августа 2010 г. Тип: Полезная модель Авторы: Грехов,ИВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ Подразделения: - лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
-
Название: Высоковольтный полупроводниковый прибор Патент РФ: #2395869 от 27 июля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Грехов,ИВ; Рожков,АВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ; Рожков,АВ Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
- лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
-
Название: Способ изготовления интегрированных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния Патент РФ: #2395868 от 27 июля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Грехов,ИВ; Иванов,ПА; Потапов,АС; Самсонова,ТП; Коньков,ОИ; Ильинская,НД Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ; Самсонова,ТП; Коньков,ОИ; Ильинская,НД Подразделения: - лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
- лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
-
Название: Способ определения координат заряженных частиц Патент РФ: #2379711 от 20 января 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Подласкин,БГ; Гук,ЕГ; Сотникова,ГЮ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Гук,ЕГ; Сотникова,ГЮ Подразделения: - лаб. оптоэлектроники и голографии (Муратикова,КЛ)
⇤ первая
« предыдущая
…
17
18
19
20
21
22
следующая »
последняя ⇥