Поиск публикаций по авторам - сотрудникам ФТИ | ФТИ им. А.Ф. Иоффе

Web of Science®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей	25425
Цитируемость
суммарная	326761
на статью	12,9
Индекс Хирша	169
G-индекс	286

Scopus®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей	28655
Цитируемость
суммарная	364193
на статью	12,7
Индекс Хирша	180
G-индекс	304

Компан Михаил Евгеньевич

⇤ первая « предыдущая 1 2 3 4 5 … следующая » последняя ⇥

Всего записей: 103

21. Компан,МЕ; Малышкин,ВГ
Годограф импеданса параллельной RC-цепи с переменным активным сопротивлением. Электрохимия, т.57, 9, 2021, с. 549 - 553
http://dx.doi.org/10.31857/S0424857021080065

Kompan,ME; Malyshkin,VG
Impedance Hodograph for the Parallel RC Circuit with Alternating Active Resistance. Russ. J. Electrochem., v.57, 9, 2021, p. 949 - 952
http://dx.doi.org/10.1134/S1023193521080061
22. Kompan,ME; Malyshkin,VG
On the inverse relaxation approach to supercapacitors characterization. J. Power Sources, v.484, 2021, ArtNo: #229257
http://dx.doi.org/10.1016/j.jpowsour.2020.229257
23. Levine,KL; Gelamo,RV; Doronin,VA; Sapurina,IY; Khanin,SD; Kompan,ME
Controlling anisotropy of multilayered graphenes for usage in charge storage devices. AIP Conf. Proc., v.2308,
В книге (сборнике): 15TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHYSICS OF DIELECTRICS, DIELECTRICS 2020, 2020, ArtNo: #020002
15th International Conference on Physics of Dielectrics, Dielectrics 2020; St. Petersburg, Russian Federation; 5-8 October 2020
http://dx.doi.org/10.1063/5.0035185
24. Шутаев,ВА; Гребенщикова,ЕА; Сидоров,ВГ; Компан,МЕ; Яковлев,ЮП
Влияние водорода на импеданс структур Pd/оксид/InP. ФТП, т.54, 6, 2020, с. 547 - 551
http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2020.06.49383.9359

Shutaev,VA; Grebenshchikova,EA; Sidorov,VG; Kompan,ME; Yakovlev,YP
Influence of Hydrogen on the Impedance of Pd/Oxide/InP Structures. Semiconductors, v.54, 6, 2020, p. 658 - 661
http://dx.doi.org/10.1134/S1063782620060160
25. Бессолов,ВН; Грузинов,НД; Компан,МЕ; Коненкова,ЕВ; Пантелеев,ВН; Родин,СН; Щеглов,МП
Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления. Письма ЖТФ, т.46, 8, 2020, с. 29 - 31
http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.08.49305.18215

Bessolov,VN; Gruzinov,ND; Kompan,ME; Konenkova,EV; Panteleev,VN; Rodin,SN; Shcheglov,MP
Vapor-Phase Epitaxy of AlN Layers on AlN/Si(111) Templates Synthesized by Reactive Magnetron Sputtering. Tech. Phys. Lett., v.46, 4, 2020, p. 382 - 384
http://dx.doi.org/10.1134/S1063785020040185
26. Бессолов,ВН; Компан,МЕ; Коненкова,ЕВ; Пантелеев,ВН
Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия полуполярного слоя AlN(1012) на наноструктурированной подложке Si(100). Письма ЖТФ, т.46, 2, 2020, с. 12 - 14
http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.02.48944.18061

Bessolov,VN; Kompan,ME; Konenkova,EV; Panteleev,VN
Hydride Vapor-Phase Epitaxy of a Semipolar AlN(10(1)over-bar2) Layer on a Nanostructured Si(100) Substrate. Tech. Phys. Lett., v.46, 1, 2020, p. 59 - 61
http://dx.doi.org/10.1134/S1063785020010174
27. Бессолов,ВН; Компан,МЕ; Коненкова,ЕВ; Пантелеев,ВН; Родин,СН; Щеглов,МП
Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(1011) на подложке Si(100). Письма ЖТФ, т.45, 11, 2019, с. 3 - 5
http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2019.11.47813.17756

Bessolov,VN; Kompan,ME; Konenkova,EV; Panteleev,VN; Rodin,SN; Shcheglov,MP
Epitaxy of GaN(0001) and GaN(1011) Layers on Si(100) Substrate. Tech. Phys. Lett., v.45, 6, 2019, p. 529 - 532
http://dx.doi.org/10.1134/S106378501906004X
28. Байдакова,МВ; Германов,НА; Голяндин,СН; Компан,МЕ; Мочалов,СВ; Нащекин,АВ; Неведомский,ВН; Пульнев,СА; Рабчинский,МК; Улин,ВП; Улин,НВ
Слабоупорядоченный наноструктурированный бисиликат серебра и его коллоидные растворы: получение и свойства. ЖТФ, т.89, 6, 2019, с. 938 - 947
http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2019.06.47644.372-18

Baidakova,MV; Germanov,NA; Golyandin,SN; Kompan,ME; Mochalov,SV; Nashchekin,AV; Nevedomskii,VN; Pul`nev,SA; Rabchinskii,MK; Ulin,VP; Ulin,NV
Weakly Ordered Nanostructured Silver Disilicate and Its Colloidal Solutions: Preparation and Properties. Tech. Phys., v.64, 6, 2019, p. 884 - 892
http://dx.doi.org/10.1134/S1063784219060033
29. Гоффман,ВГ; Компан,МЕ; Гороховский,АВ; Горшков,НВ; Байняшев,АВ; Телегина,ОС; Воронкова,ВИ; Антонов,ИН; Агапова,ЮВ
Тонкая структура импедансных спектров кристаллов с пьезоэлектрическим эффектом. ФТТ, т.61, 3, 2019, с. 449 - 452
http://dx.doi.org/10.21883/FTT.2019.03.47234.291

Goffman,VG; Kompan,ME; Gorokhovskii,AV; Gorshkov,NV; Bainyashev,AM; Telegina,OS; Voronkova,VI; Antonov,IN; Agapova,YV
Fine Structure of Impedance Spectra of Crystals with Piezoelectric Effect. Phys. Solid State, v.61, 3, 2019, p. 315 - 318
http://dx.doi.org/10.1134/S1063783419030144
30. Компан,МЕ; Малышкин,ВГ
Эффект обратной релаксации и структура пористых электродов суперконденсаторов. Письма ЖТФ, т.45, 2, 2019, с. 47 - 49
http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2019.02.47224.17384

Kompan,ME; Malyshkin,VG
The Reverse Relaxation Effect and Structure of Porous Electrodes in Supercapacitors. Tech. Phys. Lett., v.45, 1, 2019, p. 45 - 47
http://dx.doi.org/10.1134/S1063785019010279
31. Компан,МЕ; Малышкин,ВГ
Гигантский сдвиг частоты в спектре рамановского рассеяния водой на поверхности металлического серебра. Письма ЖТФ, т.44, 2, 2018, с. 88 - 95
http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2018.02.45469.16934

Kompan,ME; Malyshkin,VG
A Giant Frequency Shift in the Raman Spectrum of Water Adsorbed on a Metallic Silver Surface. Tech. Phys. Lett., v.44, 1, 2018, p. 77 - 80
http://dx.doi.org/10.1134/S1063785018010145
32. Андреев,ВН; Климов,ВА; Компан,МЕ
Фазовый переход металл-диэлектрик в гидрированных тонких пленках V2O3. ФТТ, т.59, 12, 2017, с. 2413 - 2415
http://dx.doi.org/10.21883/FTT.2017.12.45241.174

Andreev,VN; Klimov,VA; Kompan,ME
Metal-insulator phase transition in hydrogenated thin films of V2O3. Phys. Solid State, v.59, 12, 2017, p. 2441 - 2443
http://dx.doi.org/10.1134/S1063783417120046
33. Компан,МЕ; Никитин,СЕ; Мелех,БА-Т; Нащекин,АВ
Узкополосная люминесценция меди в присутствии наночастиц золота. ФТТ, т.59, 12, 2017, с. 2409 - 2412
http://dx.doi.org/10.21883/FTT.2017.12.45240.184

Kompan,ME; Nikitin,SE; Melekh,BA; Nashchekin,AV
Narrowband luminescence of copper in the presence of gold nanoparticles. Phys. Solid State, v.59, 12, 2017, p. 2436 - 2440
http://dx.doi.org/10.1134/S106378341712023X
34. Жеребцов,ДА; Шарлай,ЕВ; Янцен,РФ; Галимов,ДМ; Сапожников,СБ; Понти,М; Компан,МЕ
Пористые стеклоуглеродные наноматериалы для электрохимических устройств. Ж. физ. хим., т.91, 9, 2017, с. 1588 - 1593

Zherebtsov,DA; Sharlay,EV; Yantsen,RF; Galimov,DM; Sapozhnikov,SB; Ponty,M; Kompan,ME
Porous glass-carbon nanomaterials for electrochemical devices. Russ. J. Phys. Chem. A, v.91, 9, 2017, p. 1805 - 1810
http://dx.doi.org/10.1134/S0036024417090333
35. Компан,МЕ; Малышкин,ВГ; Кузнецов,ВП; Кривченко,ВА; Черник,ГГ
О накоплении энергии в двойном слое на поверхности материалов с малой плотностью электронных состояний. Электрохимия, т.53, 6, 2017, с. 636 - 641
http://dx.doi.org/10.7868/S0424857017060020

Kompan,ME; Malyshkin,VG; Kuznetsov,VP; Krivchenko,VA; Chernik,GG
On energy accumulation in double layer on the surface of materials with low electron state density. Russ. J. Electrochem., v.53, 6, 2017, p. 561 - 566
http://dx.doi.org/10.1134/S1023193517060106
36. Компан,МЕ; Малышкин,ВГ; Кузнецов,ВП; Кривченко,ВА
Особенности накопления энергии в двойном слое на поверхности графенового материала. Письма ЖТФ, т.43, 3, 2017, с. 80 - 87
http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2017.03.44231.16433

Kompan,ME; Malyshkin,VG; Kuznetsov,VP; Krivchenko,VA
Specifics of energy storage in a double layer on the surface of a graphene material. Tech. Phys. Lett., v.43, 2, 2017, p. 177 - 179
http://dx.doi.org/10.1134/S1063785017020067
37. Компан,МЕ; Агафонов,ДВ; Бурсиан,АЭ; Дмитриев,ДС; Микрюкова,МА
К оценке лиофильности углеродных материалов для электродов суперконденсаторов . ФТТ, т.58, 12, 2016, с. 2464 - 2468
http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2016.12.43874.153

Kompan,ME; Agafonov,DV; Bursian,AE; Dmitriev,DS; Mikryukova,MA
Evaluation of lyophility of carbon materials for electrodes of supercapacitors. Phys. Solid State, v.58, 12, 2016, p. 2555 - 2559
http://dx.doi.org/10.1134/S1063783416120118
38. Андреев,ВН; Климов,ВА; Компан,МЕ
Термическая литография тонких пленок диоксида ванадия. Письма ЖТФ, т.42, 1, 2016, с. 42 - 48

Andreev,VN; Klimov,VA; Kompan,ME
Thermal lithography of thin films of vanadium dioxide. Tech. Phys. Lett., v.42, 1, 2016, p. 19 - 22
http://dx.doi.org/10.1134/S1063785016010028
39. Гоффман,ВГ; Гороховский,АВ; Компан,МЕ; Горшков,НВ; Слепцов,ВВ; Ковнев,АВ; Телегина,ОС; Третьяченко,ЕВ; Ковынева,НН
Импедансная спектроскопия полититаната калия, модифицированного сульфатом кобальта (II). Область высоких температур. Электрохимическая энергетика, т.15, 2, 2015, с. 64 - 70
40. Телегина,ОС; Гоффман,ВГ; Гороховский,АВ; Компан,МЕ; Слепцов,ВВ; Горшков,НВ; Ковынева,НН; Ковнев,АВ
Характер проводимости в аморфном полититанате калия. Электрохимическая энергетика, т.15, 1, 2015, с. 23 - 28

⇤ первая « предыдущая 1 2 3 4 5 … следующая » последняя ⇥

Телефон: +7 (812) 297-22-45
Email: post@mail.ioffe.ru
Адрес:194021, Санкт-Петербург,
Политехническая ул., 26

Copyright © 2021 - All Rights Reserved - ioffe.ru

Template by OS Templates